港大創新鑽石薄膜技術 低成本高效推動半導體進步
近年香港積極發展第三代半導體,也就是所謂功率半導體,功率半導體之中以碳化矽 (SiC)最為重要,原因是SiC是高效能、寬能隙(WBG)材料,具有高耐壓、耐高溫、低開關損耗與高功率密度特性。 相比傳統矽(Si)元件,SiC能顯著提升效率並縮小電動車、太陽能逆變器與高壓充電系統的體積。香港科技園元朗微電子中心(MEC)以研發第三代半導體中試線為主,杰平方半導體(JetCool)就設立全港首家的第三代半 …
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港大創新鑽石薄膜技術 低成本高效推動半導體進步
近年香港積極發展第三代半導體,也就是所謂功率半導體,功率半導體之中以碳化矽 (SiC)最為重要,原因是SiC是高效能、寬能隙(WBG)材料,具有高耐壓、耐高溫、低開關損耗與高功率密度特性。 相比傳統矽(Si)元件,SiC能顯著提升效率並縮小電動車、太 …
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